|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДОВ НА КРИСТАЛЛАХ АНТИМОНИДА ИНДИЯ n - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2331950 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | RU 2056671 C1, 20.03.1996. SU 1589963 A1, 10.07.1996. RU 2069028 C1, 10.11.1996. SU 1265894 A1, 11.04.1985. JP 63136579 A, 08.06.1988. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) | | Изобретатели: | Астахов Владимир Петрович (RU)
Гиндин Павел Дмитриевич (RU)
Евстафьева Наталья Игоревна (RU)
Ежов Виктор Петрович (RU)
Карпов Владимир Владимирович (RU)
Соловьёва Галина Сергеевна (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) |
Реферат | |
Способ изготовления фотодиодов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости включает подготовку пластины исходного кристалла антимонида индия, формирование р-n перехода имплантацией ионов бериллия с постимплантационным отжигом, нанесение защитной и пассивирующей диэлектрических пленок и формирование контактной системы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента