|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ МОЩНЫХ НИТРИДНЫХ СВЧ - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2339116 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/78 | | Аналоги изобретения: | R.Vandersmissen et all. "Transfer from MHEMT to GaN HEMT Technology: Devices and Integration", International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (MANTECH), New Orleans, Louisiana, USA, pp.237-240, 11-14 April 2005. WO 2006/065046 A1, 22.06.2006. US 6818531 B1, 16.11.2004. US 6656820 B2, 02.12.2003. RU 1738035 C, 15.06.1994. RU 2285976 C1, 20.10.2006. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые технологии и оборудование" (RU) | | Изобретатели: | Чалый Виктор Петрович (RU)
Погорельский Юрий Васильевич (RU)
Алексеев Алексей Николаевич (RU)
Красовицкий Дмитрий Михайлович (RU)
Березняк Анатолий Федорович (RU)
Кокин Сергей Владимирович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые технологии и оборудование" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы. Сущность изобретения: в способе изготовления чипов мощных нитридных СВЧ-транзисторов, включающем изготовление эпитаксиальной пластины, изготовление диэлектрической пластины-носителя, совмещение эпитаксиальной пластины и диэлектрической пластины-носителя, разделение эпитаксиальной пластины и диэл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента