|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО р - n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ ВЫСОКООМНОГО КРЕМНИЯ р - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2349985 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | Астахов В.П. и др. О возможности применения ионной имплантации при производстве pin фотодиодов на кремнии. - Прикладная физика, 1999, №6, с.26-31. RU 2298250 C2, 27.04.2007. Смирнов Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников./Под ред. проф. Л.С.Смирнова. - Новосибирск: Наука СО, 1980, с.78-108. US 3925106 A, 09.12.1975. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) | | Изобретатели: | Астахов Владимир Петрович (RU)
Гиндин Павел Дмитриевич (RU)
Ежов Виктор Петрович (RU)
Карпов Владимир Владимирович (RU)
Лихачев Геннадий Михайлович (RU)
Сорокин Константин Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ согласно изобретению включает формирование планарной n+-области и защиту поверхности периферии n+-p перехода имплантацией ионов азота. Перед имплантацией ионов азота на поверхности p-типа непосредственно вокруг границы n-p перехода посредством легирования бором с дозой (0,8-1)·10 см2 формируют поверхностную область p+-типа проводимости заданной ширины.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента