|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ САМОСОВМЕЩЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛИКРЕМНИЕВЫХ КОНТАКТОВ К ПОДЛОЖКЕ И СКРЫТОМУ СЛОЮ |  |
Номер публикации патента: 2356127 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/762 | | Аналоги изобретения: | US 4256514 А, 17.03.1981.. RU 2234162 С2, 10.08.2004. RU 2234162 С2, 10.08.2004. US 5814547 A, 29.09.1998. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU) | | Изобретатели: | Сауров Александр Николаевич (RU)
Манжа Николай Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных микросхем (ИМС). Сущность изобретения: в способе самосовмещенного формирования изоляции элементов ИМС и поликремниевых контактов к подложке и n+ - скрытому слою на полупроводниковой подложке со сплошным скрытым и эпитаксиальным слоями формируют первый и второй диэлектрические слои, в которых фотолитографией вскрывают окно на месте будущего коллекторного контакта к n+ - скрытому слою, формируют на вертикальных стенках окна разде
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента