US 6707102 В2, 16.03.2004. RU 2239912 С2, 10.11.2004. US 7282765 В2, 16.10.2007. US 6800528 В2, 05.10.2004. US 6063678 А, 16.05.2000.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Изобретатели:
Бачурин Виктор Васильевич (RU) Бычков Сергей Сергеевич (RU) Ерохин Сергей Александрович (RU) Пекарчук Татьяна Николаевна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскрытых участков кремния примесью первого типа проводимости, выращивание толстого полевого диэлектрика на подлегированных участках кремния в окнах первичного защитного покрытия термическим окислением кремния, создание в высокоомном слое подложки в промежутках между толстым полевым диэлектриком элементарных транзисторных ячеек со сквозными диффузионными истоковыми перемычками, сформированными посредством внедрения в подложку через предварительно вскрытые в защитном покрытии окна легирующей примеси первого типа проводимости и ее последующего диффузионного перераспределения, формирование соединительных шин и контактных площадок стока и затвора транзисторной структуры на толстом полевом диэлектрике на лицевой стороне подложки и общего электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, перед подлегированием кремния и выращиванием толстого полевого диэлектрика высокоомный слой подложки в окнах первичного защитного покрытия подтравливают на глубину, равную 0,48-0,56 толщины полевого диэлектрика, а перед внедрением легирующей примеси в формируемые истоковые перемычки транзисторных ячеек в высокоомном слое подложки в окнах защитного покрытия вытравливают канавку с наклонными боковыми стенками и плоским дном глубиной 1,5-2,6 мкм. Изобретение обеспечивает улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых LDMOS транзисторов и повышение процента выхода годных данных изделий. 5 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента