Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ

Номер публикации патента: 2364984

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008107909/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/336    
Аналоги изобретения: US 6707102 В2, 16.03.2004. RU 2239912 С2, 10.11.2004. US 7282765 В2, 16.10.2007. US 6800528 В2, 05.10.2004. US 6063678 А, 16.05.2000. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) 
Изобретатели: Бачурин Виктор Васильевич (RU)
Бычков Сергей Сергеевич (RU)
Ерохин Сергей Александрович (RU)
Пекарчук Татьяна Николаевна (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскрытых участков кремния примесью первого типа проводимости, выращивание толстого полевого диэлектрика на подлегированных участках кремния в окнах первичного защитного покрытия термическим окислением кремния, создание в высокоомном слое подложки в промежутках между толстым полевым диэлектриком элементарных транзисторных ячеек со сквозными диффузионными истоковыми перемычками, сформированными посредством внедрения в подложку через предварительно вскрытые в защитном покрытии окна легирующей примеси первого типа проводимости и ее последующего диффузионного перераспределения, формирование соединительных шин и контактных площадок стока и затвора транзисторной структуры на толстом полевом диэлектрике на лицевой стороне подложки и общего электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, перед подлегированием кремния и выращиванием толстого полевого диэлектрика высокоомный слой подложки в окнах первичного защитного покрытия подтравливают на глубину, равную 0,48-0,56 толщины полевого диэлектрика, а перед внедрением легирующей примеси в формируемые истоковые перемычки транзисторных ячеек в высокоомном слое подложки в окнах защитного покрытия вытравливают канавку с наклонными боковыми стенками и плоским дном глубиной 1,5-2,6 мкм. Изобретение обеспечивает улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых LDMOS транзисторов и повышение процента выхода годных данных изделий. 5 ил., 2 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"