RU 2075140 C1, 10.03.1997. RU 2176841 C1, 10.12.2001. RU 2004130399 A, 27.03.2006. FR 2771321 A1, 28.05.1999. JP 3217065 A, 24.09.1991. JP 2001185799 A, 06.07.2001.
Имя заявителя:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY), Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ" (RU)
Изобретатели:
Безъязычная Татьяна Владимировна (BY) Богданович Максим Владимирович (BY) Енжиевский Алексей Иванович (BY) Паращук Валентин Владимирович (BY) Пожидаев Александр Викторович (BY) Рябцев Андрей Геннадьевич (BY) Рябцев Геннадий Иванович (BY) Щемелев Максим Анатольевич (BY) Микаелян Геворк Татевосович (RU) Соколов Сергей Николаевич (RU) Жиздюк Татьяна Борисовна (RU)
Патентообладатели:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY) Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей. Технический результат - упрощение, повышение воспроизводимости и ускорение процесса монтажа активного элемента, повышение качества и надежности контактного соединения, увеличение точности его установки и юстировки, улучшение термокомпенсирующих параметров монтажной пластины, а также основных характеристик лазера - тепловых режимов, стабилизация длины волны и выходной мощности излучения, снижение пороговых токов. Сущность изобретения: в способе получения контактных соединений диодных лазеров и линеек, включающем нанесение на монтажную поверхность контактной пластины, по крайней мере, двух металлических слоев, последний из которых слой припоя, установку активного элемента на металлический слой, припаивание его при нагревании в восстановительной среде в условиях механической нагрузки на элемент с последующим охлаждением, в вакууме на никелированную монтажную поверхность контактной пластины, выполненной из меди, последовательно наносят слой припоя на основе SnPb и дополнительно слой индия (In) толщиной соответственно 4-6 мкм и 0,5-1,0 мкм, осуществляют припаивание в ускоренном (динамическом) режиме с временем нагрева/охлаждения t=3-5 мин при температуре Tmax>Tликв+(50-70)°С, где Тликв - температура ликвидуса припоя.
Поиск патентов
Получить полное описание патента