Beale M.J. et al. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon. J.Cryst. Growth. 1985. Vol.73 (2). p.622. С.М.Жаркий и др. Исследование слоев пористого кремния лазерным ультразвуковым методом. - Физика и техника полупроводников, 2003, т.37, вып.4, с.485-489. SU 1767582 A1, 07.10.1992. SU 561926 A, 27.07.1977.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Федеральное агентство по науке и инновациям (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им.М.В. Ломоносова) (RU)
Изобретатели:
Шелонин Евгений Александрович (RU) Хорт Андрей Михайлович (RU) Яковенко Анатолий Георгиевич (RU) Гвелесиани Александр Александрович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Федеральное агентство по науке и инновациям (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им.М.В. Ломоносова) (RU)
Реферат
Использование: в микро- и оптоэлектронике для получения пористого кремния при изготовлении различных структур, обладающих способностью к фотолюминесценции и электролюминесценции, например в качестве индикаторов, а также для изготовления пористой основы для химических сенсоров, просветляющего слоя для кремниевых солнечных элементов или промежуточный слой гетероструктур. Сущность изобретения: для определения толщины слоя пористого кремния, полученного электрохимическим травлением на подложке из монокристаллического кремния p-типа проводимости с последующим окислением, в процессе получения пористого кремния на этапе его окисления измеряют время окисления (, секунды) слоя пористого кремния, сформированного травлением, и вычисляют толщину (T, мкм) слоя пористого кремния по формуле T=(1,171+1,422In )· (где - удельное электросопротивление исходного монокристаллического кремния в интервале 0,5-50 Ом.см). Техническим результатом изобретения является упрощение способа определения толщины слоя пористого кремния и повышение точности определения. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента