ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. Сущность изобретения: в способе диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок, включающем процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: кислород - O2=38 л/ч азот - N2=700 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч при температуре процесса 1000°С, время проведения загонки фосфора -40 минут, при этом поверхностное сопротивление равно RS=160±10 Ом/см. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение длительности и температуры процесса.
Поиск патентов
Получить полное описание патента