Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в составе подложки Si формируют аморфный слой диэлектрика SiO2 и осуществляют в него имплантацию примеси реактивных газов с низкой растворимостью в SiO2, образующей молекулы, легко диффундирующие к поверхности. Затем подложку отжигают в окислительной атмосфере. При отжиге из молекул газа имплантированной примеси и кислорода образуются комплексы, взаимодействующие с атомами на поверхности SiO2, с модификацией поверхности за счет насыщения оборванных связей атомов и образования качественно новых связей, в дополнительном количестве относительно исходного, взаимодействующих при гидрофилизации с ОН комплексами. В кремниевой подложке-доноре ионной имплантацией водорода создают ослабленную зону, выделяющую слой кремния, переносимый на подложку. Подложку-донор и подложку подвергают очистке и гидрофилизации. Далее подложку и подложку-донор соединяют в пары. Проводят сращивание и одновременное расслаивание по ослабленной зоне с образованием на подложке отсеченного поверхностного слоя кремния. За счет формирования на поверхности слоя SiO2 качественно новых связей, взаимодействующих с ОН комплексами, причем в количестве, превышающем исходное, достигается повышение качества структур и снижаются требования к исходной механической обработке пластин кремния. 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента