Nanobelts of Semiconducting Oxides. Zheng Wei Pan, et al., 1947 (2001); 291 Science, DOI: 10.1126/science. 1058120. RU 2139596 C1, 10.10.1999. RU 2316613 C1, 10.02.2008. SU 1812242 A1, 30.04.1993. US 2008118769 A1, 22.05.1008. US 2007042216 A1, 22.02.2007. US 2006275948 A1, 07.12.2006. JP 2006073579 A, 16.03.2006.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)" (RU)
Изобретатели:
Лозовский Владимир Николаевич (RU) Лозовский Сергей Владимирович (RU) Яковлев Владимир Александрович (RU) Трушин Сергей Анатольевич (RU) Пащенко Александр Сергеевич (RU) Лунин Леонид Сергеевич (RU) Чеботарев Сергей Николаевич (RU) Ирха Владимир Александрович (RU) Валов Георгий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность изобретения: способ выращивания слоев оксида цинка из сублимирующегося источника паров осуществляют зонной сублимационной перекристаллизацией в две стадии - на плоской подложке с оптически гладкой поверхностью формируют слой цинка толщиной от 1-10 мкм при давлении остаточных газов в рабочей камере 10-3 Па, скорости сублимации цинка V0=100-120 мкм/ч и температуре 620-650 К, а перепад температуры между источником цинка и подложкой составляет 140-160 К, при этом вакуумная микроячейка имеет максимальную толщину 500-600 мкм, затем заменой сублимирующегося источника паров цинка на источник паров кислорода выращенные слои подвергают окислению при температуре 570-600 К. Способ обеспечивает получение отделяемых от подложки слоев оксида цинка увеличенной толщины и площади.
Поиск патентов
Получить полное описание патента