RU 2322384 C1, 20.04.2008. RU 2233791 C2, 10.08.2004. RU 2179526 C2, 20.02.2002. WO 2004/054924 A1, 01.07.2004. JP 2005255439 A, 22.09.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) (RU)
Изобретатели:
Напольский Кирилл Сергеевич (RU) Валеев Ришат Галеевич (RU) Росляков Илья Владимирович (RU) Лукашин Алексей Викторович (RU) Сурнин Дмитрий Викторович (RU) Ветошкин Владимир Михайлович (RU) Романов Эдуард Аркадьевич (RU) Лысков Николай Викторович (RU) Укше Александр Евгеньевич (RU) Добровольский Юрий Анатольевич (RU) Елисеев Андрей Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано для получения упорядоченного массива наночастиц полупроводников на основе мезапористых твердофазных матриц. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур полупроводника, включающем формирование пористой матрицы из оксидов металлов или неметаллов с последующим осаждением в матрицу полупроводниковых материалов, формирование матрицы осуществляют путем двухстадийного анодного окисления исходного материала матрицы до образования упорядоченно расположенной структуры нанопор, а полупроводник осаждают в матрицу термическим испарением его в вакууме, затем на заполненную матрицу наносят проводящую основу в виде пленки с последующим удалением матрицы. Изобретение обеспечивает повышение технологичности получения упорядоченных массивов полупроводников, как элементарных, так и являющихся химическим соединением, на основе мезапористых твердофазных матриц. Кроме того, появляется возможность одновременного получения двух типов наноструктур - квантовых точек и нановолосков материала. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента