RU 2330349 C1, 27.07.2008. RU 2340038 C2, 27.11.2008. RU 2176422 C2, 27.11.2001. SU 1797403 A1, 27.03.1995. US 4659392 A, 21.04.1987. JP 57043417 A, 11.03.1982. JP 3087022 A, 11.04.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)
Реферат
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем обработку диэлектрической подложки ионами кислорода, термический отжиг и формирование кремниевой полупроводниковой эпитаксиальной пленки, после эпитаксиального роста кремниевой пленки на диэлектрической подложке пленку кремния аморфизируют ионами кремния в две стадии: первую стадию проводят при дозе 1015 см-2 и энергии 100-130 кэВ, вторую стадию проводят при дозе 2·1015 см-2 и энергии 50-70 кэВ, после каждой стадии аморфизации проводят отжиг при температуре 950-1100°С в течение 20-60 мин в водороде, затем на пленке кремния создают полупроводниковый прибор по стандартной технологии. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента