Jong-Won Lim et all. Fabrication and characteristics of 0,12 m AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT using a silicon nitride assisted process. Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) 1416-1421. RU 2285976 C1, 20.10.2006. RU 2192069 С2, 27.10.2002. US 2009/0085063 A1, 02.04.2009. US 6087256 A, 11.07.2000. US 5462884 A, 31.10.1995. EP 0591608 A2, 13.04.1994. DE 4234777 A1, 21.04.1994. KR 100276077 В1, 15.01.2001.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Антонова Нина Евгеньевна (RU) Земляков Валерий Евгеньевич (RU) Красник Валерий Анатольевич (RU) Снегирев Владислав Петрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры пары электродов транзистора, образующих омические контакты, посредством метода литографии, травления и последующего напыления металла или системы металлов, формирование канала транзистора посредством электронной литографии и травления, нанесение маскирующего диэлектрического слоя, формирование в маскирующем диэлектрическом слое субмикронной щели посредством электронной литографии и травления, при этом субмикронную щель формируют с переменным поперечным сечением, уменьшающимся по ее высоте от широкой верхней части, примыкающей к шляпке упомянутого управляющего электрода, к узкой нижней части, примыкающей к каналу транзистора, формирование топологии упомянутого управляющего электрода методом электронной литографии, формирование в субмикронной щели упомянутого управляющего электрода посредством напыления металла или системы металлов, при этом конфигурация его основания повторяет конфигурацию субмикронной щели. При формировании в маскирующем диэлектрическом слое субмикронной щели с переменным поперечным сечением, уменьшающимся по ее высоте, посредством электронной литографии и травления травление маскирующего диэлектрического слоя осуществляют в одном едином технологическом процессе в высокочастотной плазме гексафторида серы, кислорода и гелия и мощности разряда 8-10 Вт. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности и коэффициента усиления, повышение воспроизводимости указанных выходных параметров и соответственно выхода годных, упрощение и снижение трудоемкости изготовления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента