ЕР 0303390 А1, 15.02.1989. RU 2280914 С2, 27.07.2006. SU 1535272 А1, 27.06.2000. SU 1120886 А1, 10.04.1996. WO 2009/008919 A2, 15.01.2009. WO 2007/146533 A2, 21.12.2007. US 4180422 A, 25.12.1979. FR 2538616 А1, 29.06.1984. JP 2006086334 A, 30.03.2006. JP 4127577 A, 28.04.1992.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Оптрон" (RU)
Изобретатели:
Филатов Михаил Юрьевич (RU) Белотелов Сергей Владимирович (RU) Быкова Светлана Сергеевна (RU) Абдуллаев Олег Рауфович (RU) Айриян Юрий Аршакович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Оптрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении диффузионных p-i-n диодов с большим уровнем управляемой мощности групповым методом. Сущность изобретения: в способе изготовления кристаллов p-i-n диодов групповым методом создают с одной стороны рабочей пластины кремния с собственным типом проводимости высоколегированный слой p-типа проводимости, уменьшают толщину слоя собственного типа проводимости с другой стороны рабочей пластины с последующим созданием с этой стороны высоколегированного слоя n-типа проводимости, формируют мезаструктуры, защищают пассивирующим стеклом боковые поверхности мезаструктур, формируют омические контакты и разделяют рабочую пластину на кристаллы. Сторону рабочей пластины для создания высоколегированного слоя p-типа проводимости предварительно полируют, а затем при создании диффузионным легированием высоколегированного слоя p-типа проводимости в полированную сторону проводят загонку примеси p-типа проводимости, уменьшают толщину слоя собственного типа проводимости шлифовкой, после чего на шлифованную сторону наносят жидкий диффузант с примесью n-типа проводимости и плотно контактируют эту сторону рабочей пластины кремния со шлифованной и покрытой идентичным диффузантом стороной кремниевой пластины-носителя n-типа проводимости, а процесс нагрева при создании высоколегированного слоя n-типа проводимости диффузионным легированием проводят при заданных температуре и времени с одновременной разгонкой примеси в высоколегированном слое p-типа проводимости, формированием соответствующей силикатной стекловидной пленки на высоколегированных слоях p- и n-типа проводимости и соединением рабочей пластины кремния с кремниевой пластиной-носителем, формирование мезаструктур проводят со стороны высоколегированного слоя p-типа проводимости глубиной до высоколегированного слоя n-типа проводимости, омические контакты на вершинах мезаструктур формируют к высоколегированному слою p-типа проводимости, а перед формированием общего омического контакта удаляют кремниевую пластину-носитель и соответствующую силикатную стекловидную пленку. Техническим результатом изобретения является увеличение пробивного напряжения при сохранении малых уровней обратного тока, обеспечение работы диодов на низких частотах без искажения формы сигнала, повышение производительности и обеспечение высокой надежности диодов. 2 н.п. ф-лы, 15 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента