JP 2006045038 A, 16.02.2006. RU 2286617 C2, 27.10.2006. RU 2151737 C1, 27.06.2000. RU 2280498 C2, 27.06.2006. US 2005263754 A1, 01.12.2005. WO 2007147670 A1, 27.12.2007. JP 2006253617 A, 21.09.2006. US 2004/0124092 A1, 01.07.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) (RU)
Изобретатели:
Матузов Антон Викторович (RU) Афанасьев Алексей Валентинович (RU) Ильин Владимир Алексеевич (RU) Кривошеева Александра Николаевна (RU) Логинов Борис Борисович (RU) Лучинин Виктор Викторович (RU) Петров Александр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) (RU)
Реферат
Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой 3С-SiC, нанесенный с замещением водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния. Предложены также способ получения полупроводниковой сэндвич-структуры и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием. Техническим результатом изобретения является повышение обратного пробивного напряжения и подвижности носителей зарядов в полупроводниковой сэндвич-структуре за счет повышения надежности получения структурно совершенного слоя карбида кремния. 3 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента