US 5037767 A, 06.08.1991. JP 11150181 A, 02.06.1999. JP 2005051191 A, 24.02.2005. KR 20090034535 A, 08.04.2009. SU 1787413 A1, 15.01.1994.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Восход"-Калужский радиоламповый завод (RU)
Изобретатели:
Болдин Вячеслав Николаевич (RU) Безруков Александр Владимирович (RU) Барабанщиков Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Восход"-Калужский радиоламповый завод (RU)
Реферат
Изобретение относится к области технологии и изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Способ ионного легирования бором областей р-n перехода полупроводниковых приборов и интегральных схем включает окисление кремниевых пластин, вытравливание окон в маскирующем слое окисла кремния и ионное легирование бором областей р-n перехода с последующей активацией примесей бора. Отличительными особенностями способа является то, что в вытравленных окнах создают слой окисла кремния. Затем перед ионным легированием бором областей р-n перехода осаждают нитрид кремния не только на окисленную поверхность кремниевых пластин, но и на слой окисла кремния, созданный в вытравленных окнах, при этом величина суммарной толщины окисла кремния и нитрида кремния в вытравленных окнах и величина энергии легирования находятся между собой в определенном соотношении. Изобретение обеспечивает улучшение электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента