Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШУНТИРУЮЩЕГО ДИОДА ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

Номер публикации патента: 2411607

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009143760/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/329    
Аналоги изобретения: Шунтирующие диоды для каскадных фотопреобразователей на основе соединений А3В5. Басовский А.А. и др. Труды Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы ракетно-космического приборостроения и информационных технологий», под ред. Ю.М.Урличича, А.А.Романова. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009, с.376, с.357-363. RU2358356 С2, 20.06.2008. SU 1436793 A1, 10.08.2004. US 6680432 B2, 20.01.2004. US 6600100 B2, 29.07.2003. EP 0369666 A2, 23.05.1990. DE 10056214 A1, 29.05.2002. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU) 
Изобретатели: Басовский Андрей Андреевич (RU)
Жуков Андрей Александрович (RU)
Харитонов Владимир Анатольевич (RU)
Анурова Любовь Владимировна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении шунтирующих диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Сущность изобретения: в способе изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов, включающем создание на рабочей стороне в эпитаксиальном слое кремниевой монокристаллической подложки диэлектрической изоляции, формирование р-n-перехода загонкой с последующей разгонкой, формирование металлизации рабочей стороны подложки, утонение подложки с обратной нерабочей стороны, металлизацию нерабочей стороны и присоединение электропроводящих шин, утонение подложки с обратной нерабочей стороны проводят после формирования на рабочей стороне подложки облученного УФ-лучом фоточувствительного слоя последовательно абразивной обработкой и плазмохимическим травлением нерабочей стороны, после чего фоточувствительный слой удаляют в проявителе, при этом плазмохимическое травление проводят на глубину не менее 10 мкм при температуре не более 120°С, а толщину фоточувствительного слоя выбирают из определенного соотношения, в зависимости от толщины металлизации на рабочей стороне. Техническим результатом изобретения является повышение воспроизводимости процесса изготовления и технологичность изделия. 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"