Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ - ДИАПАЗОНА

Номер публикации патента: 2417480

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009139608/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/84    
Аналоги изобретения: RU 2314595 C2, 10.01.2008. RU 2242823 С2, 20.12.2004. RU 2071646 C1, 10.01.1997. Гуськов Г.Я. и др. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь, 1986, с.109-110. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 
Изобретатели: Иовдальский Виктор Анатольевич (RU)
Молдованов Юрий Исаевич (RU)
Коцюба Александр Михайлович (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик, снижение трудоемкости изготовления и повышение надежности гибридной интегральной схемы. Сущность изобретения: способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной посадочной площадки для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента, изготовление на одной стороне пленочного полимерного носителя рисунка плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников, содержащего, по меньшей мере, одну группу для подключения активного полупроводникового прибора, изготовление отверстий в полимерном носителе, соединение внутренних концов пленочных соединительных внутрисхемных проводников с контактными площадками, по меньшей мере, одного кристалла активного навесного компонента - полупроводникового прибора, закрепление кристаллов активных компонентов на посадочных площадках, присоединение внешних концов группы пленочных соединительных внутрисхемных проводников к пленочным проводникам топологического рисунка, закрепление кристаллов пассивных компонентов, изготовление на полимерном носителе пленочных соединительных внутрисхемных проводников для выполнения всех соединений. Концы проводников соединяют с топологическим рисунком непосредственно или посредством пассивных компонентов, затем удаляют пленочный носитель. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"