US 2009181535 A1, 16.07.2009. US 2009272565 A1, 05.11.2009. US 7226856 B1, 05.06.2007. WO 2006/133318 A1, 14.12.2006. RU 2338683 C1, 20.11.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Гаврилов Сергей Александрович (RU) Громов Дмитрий Геннадьевич (RU) Дубков Сергей Владимирович (RU) Миронов Андрей Евгеньевич (RU) Шулятьев Алексей Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Реферат
Применение: микро- и наноэлектроника, микросистемная техника и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: способ изготовления межсоединений полупроводникового прибора включает формирование в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, контактных колодцев и траншей под будущие проводники-межсоединения, последовательное нанесение адгезионно-смачивающего слоя и сплошного каталитического слоя на дно и стенки контактных колодцев и траншей, заполнение углублений контактных колодцев и траншей углеродным материалом путем стимулированного плазмой химического осаждения углеродной структуры из газовой фазы на сплошном каталитическом слое и планаризацию поверхности кремниевой структуры. Техническим результатом изобретения является увеличение термической стойкости и уменьшение термического разогрева межсоединений ИС в условиях уменьшения их площади сечения и повышения плотности тока, а также понижение удельного электрического сопротивления материала разводки по сравнению с углеродными нанотрубками. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента