RU 2303317 С2, 10.02.2005. US 2007054431 A1, 08.03.2007. RU 2139594 C1, 10.10.1999. US 2007243644 A1, 18.10.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм" (RU)
Изобретатели:
Слипченко Сергей Олегович (RU) Тарасов Илья Сергеевич (RU) Пихтин Никита Александрович (RU) Налет Татьяна Андреевна (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм" (RU)
Реферат
При реализации способа лазерную гетероструктуру расщепляют на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере, обеспечивая сколотые грани резонатора. Затем линейку или кристалл лазерного диода помещают в вакуумную камеру с остаточным давлением по кислороду не более 10-10 торр, где с целью удаления образовавшихся окислов грани резонатора обрабатывают ионами плазмы аргона при отрицательном потенциале на образцах (-5) - (-10) В. Создают пассивирующий нитридный поверхностный слой на гранях резонатора с использованием плазмы, содержащей азот, при отрицательном потенциале на образцах (-20) - (-30) В. Напыляют, по меньшей мере, один слой блокирующего кислород и взаимную диффузию покрытия Si3N4 толщиной 20-30 нм на каждую обрабатываемую грань резонатора при отрицательном потенциале на образцах (-10) - (-15) В. После обработки ионами плазмы азота проводят локальный прогрев обрабатываемых граней резонатора ускоренными электронами плазмы ионов аргона при положительном потенциале на образцах 20-30 В. Технический результат заключается в увеличении оптической прочности выходных зеркал и выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров, увеличении долговременной надежности полупроводниковых лазеров, в упрощении процесса изготовления надежных полупроводниковых лазеров. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента