ХВОСТИКОВ В.П. и др. Высокоэффективные 49% мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия. ФТП, 2006, т.40, вып.10, с.1275-1279. SU 1635843 A1, 23.05.1993. RU 2084988 C1, 20.07.1997. US 6992334 В1, 31.01.2006. US 6313534 В1, 06.11.2001. US 5422307 A, 06.06.1995. US 2008/0230904 A1, 25.09.2008.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Солдатенков Федор Юрьевич (RU) Сорокина Светлана Валерьевна (RU) Хвостиков Владимир Петрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим последовательным напылением магнетронным распылением адгезионного слоя титана толщиной 5-30 нм и барьерного слоя платины толщиной 20-100 нм, напылением термическим испарением проводящего слоя серебра толщиной 50-5000 нм и контактирующего с окружающей средой слоя золота толщиной 30-200 нм. Изобретение обеспечивает воспроизводимое формирование омического контакта с малым удельным переходным сопротивлением. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента