

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер публикации патента: 2428764

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010108570/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/336
Аналоги изобретения:	JP 59225574 А, 18.12.1984. RU 2106719 C1, 10.03.1998. US 4985739 A, 15.01.1991. US 5623154 A, 22.04.1997. US 5698875 A, 16.12.1997.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)
Изобретатели:	Мустафаев Абдулла Гасанович (RU) Мустафаев Гасан Абакарович (RU) Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем процессы ионной имплантации и формирование активных областей прибора на кремниевой подложке, после формирования активных областей создают скрытый р-слой под каналом прибора легированием подложки ионами Be с энергией 125-175 кэВ, дозой (2-5)·10¹² см^-2 и с последующим отжигом при температуре 650-750°С в течение 20-30 мин и атмосфере Н₂. Техническим результатом изобретения является снижение значений токов утечек в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"