Vobecký J. et al. «FREE-WHEELING DIODES WITH IMPROVED REVERSE RECOVERY BY COMBINED ELECTRON AND PROTON IRRADIATION». Proceedings of the 8th PEMC, 8-10 September 1998. RU 2022399 C1, 30.10.1994. SU 1785581 A3, 30.12.1992. US 5124772 A, 23.01.1992.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Грехов Игорь Всеволодович (RU) Козловский Виталий Васильевич (RU) Костина Людмила Серафимовна (RU) Ломасов Владимир Николаевич (RU) Рожков Александр Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N-типа проводимости примесей, создающих слои p+ и n+-типа проводимости, напыление на поверхности структуры омических контактов, облучение ее со стороны упомянутого p+N-перехода электронами с энергией 350÷550 кэВ и соответствующей дозой 5·1017 см-2÷1·1016 см-2, и облучение этой структуры с любой стороны электронами с энергией 1÷10 МэВ и дозой Ф, определяемой из заявленного соотношения. Изобретение обеспечивает изготовление мощных высоковольтных полупроводниковых кремниевых приборов с меньшими потерями мощности при их эксплуатации, а также удешевление и ускорение технологического процесса изготовления.
Поиск патентов
Получить полное описание патента