Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ВОЗДУШНЫМИ ЗАЗОРАМИ

Номер публикации патента: 2436188

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010115446/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/764    
Аналоги изобретения: US 6232647 B1, 15.05.2001. RU 2204181 C2, 10.05.2003. US 2010/093168 A1, 15.04.2010. US 7534696 B2, 19.05.2009. US 6562732 В2, 13.05.2003. US 5461003 А, 24.10.1995. FR 2881574 A1, 04.08.2006. WO 2006/059262 A1, 08.06.2006. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) 
Изобретатели: Валеев Адиль Салихович (RU)
Шишко Владимир Александрович (RU)
Ранчин Сергей Олегович (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами включает формирование на подложке первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование вертикальных проводников, путем газофазного осаждения второго проводящего слоя, покрывающего поверхность и заполняющего отверстия, и удаления этого слоя с поверхности первого диэлектрического слоя химико-механической полировкой, стравливание части первого диэлектрического слоя селективно к материалу второго проводящего слоя, формирование маски с рисунком горизонтальных проводников, локальное травление первого диэлектрического и первого проводящего слоев, удаление маски, в результате чего формируются горизонтальные проводники, покрытые нестравленной частью первого диэлектрического слоя и разделенные зазорами, неконформное осаждение второго диэлектрического слоя с формированием сомкнутых воздушных зазоров. Затем проводят химико-механическую полировку второго диэлектрического слоя до вскрытия поверхности вертикальных проводников, после чего повторяют цикл формирования следующего уровня проводников и формируют пассивирующий слой. Изобретение обеспечивает снижение времени задержки распространения сигналов, повышение надежности и выхода годных изделий, а также расширение технологических возможностей изготовления. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"