Isao Yoshida. «2-GHz Si power MOSFET technology»-International Electron Devices Meeting, 1997, Washington, Technical Digest. 7-10 Dec. 1997. RU 2364984 C1, 20.08.2009. RU 2239912 C2, 10.11.2004. US 6707102 B2, 16.03.2004. US 7282765 B2, 16.10.2007. US 6800528 B2, 05.10.2004.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Изобретатели:
Бачурин Виктор Васильевич (RU) Бычков Сергей Сергеевич (RU) Крымко Михаил Миронович (RU) Пекарчук Татьяна Николаевна (RU) Сопов Олег Вениаминович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на поверхности высокоомного эпитаксиального р--слоя исходной кремниевой р-p+-подложки на периферии транзисторных структур, формирование истоковых р+-перемычек и р-карманов транзисторных ячеек в эпитаксиальном p--слое подложки, не покрытом полевым диэлектриком, выращивание подзатворного диэлектрика и формирование поликремниевых электродов затвора транзисторных ячеек в виде узких продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок над р-карманами, создание высоколегированных n+-областей стока, истока и слаболегированной n-области стока транзисторных ячеек посредством внедрения в подложку и последующего диффузионного перераспределения донорной примеси с использованием электродов затвора в качестве защитной маски, формирование металлических электродов стока, истока, экранов и шин, шунтирующих электроды затвора транзисторных ячеек через ответвленные контактные площадки на лицевой стороне подложки и общего металлического электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, первую ступень слаболегированной многоступенчатой n-области стока транзисторных ячеек формируют после образования истоковых р+-перемычек посредством внедрения донорной примеси в эпитаксиальный р--слой подложки без использования защитных масок, р-карманы, стоковые и истоковые области транзисторных ячеек создают с помощью дополнительной диэлектрической защитной маски, идентичной по конфигурации и местоположению продольным зубцам поликремниевого электрода затвора без примыкающих к ним ответвленных контактных площадок, одновременно с р-карманами формируют аналогичные им области на торцах слаболегированной n-области стока транзисторных ячеек, а электроды затвора с прилегающими к зубцам ответвленными контактными площадками формируют после удаления дополнительной диэлектрической защитной маски и последующего выращивания подзатворного диэлектрика, при этом ширину зубцов поликремниевого электрода затвора выбирают такой, чтобы она на величину погрешности совмещения превышала длину индуцированного канала транзисторных ячеек. 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента