Алешин А.Н., Александрова Е.Л. ФТТ, 2008, том 50, вып.10, с.1895-1900. M.N.Kozicki et al. Non-volatile memory based on solid electrolytes. Proceedings of the 2004 Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 10-17 (2004). Беляев А.П. и др. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях. ФТП, том36, вып.7, с.843-846. RU 2376677 С2, 20.12.2009. SU 833603 A1, 30.05.1981. EP 2073257 A2, 24.06. 2008.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (RU)
Изобретатели:
Орликовский Александр Александрович (RU) Бердников Аркадий Евгеньевич (RU) Мироненко Александр Александрович (RU) Попов Александр Афанасьевич (RU) Черномордик Владимир Дмитриевич (RU) Перминов Артур Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способам формирования приборных систем микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя заключается в нанесении композитного материала, представляющего собой диэлектрическую матрицу на базе кремния с включениями кластеров. Такая структура материала позволяет обеспечить реализацию эффекта переключения проводимости. Нанесение осуществляется путем осаждения кремнийсодержащего материала из смеси силана с кислородсодержащими и/или азотсодержащими газами в плазме низкочастотного тлеющего разряда частотой 3-200 кГц. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента