US 4811079 А, 07.03.1989. RU 2280914 С2, 27.07.2006. RU 2024997 С1, 15.12.1994. SU 1579340 А1, 20.04.1996. ЕР 0303390 А1, 15.02.1989.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Оптрон" (RU)
Изобретатели:
Филатов Михаил Юрьевич (RU) Аверкин Сергей Николаевич (RU) Колмакова Тамара Павловна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Оптрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых ограничительных диодов СВЧ-диапазона групповым методом включает формирование на сильнолегированной полупроводниковой подложке эпитаксиального слаболегированного полупроводникового слоя одного типа проводимости с подложкой, защиту его слоем диэлектрика, формирование в полупроводниковой структуре со стороны эпитаксиального слоя сетки реперных канавок на глубину, которая превышает толщину эпитаксиального слоя, создание локальных контактов, сплошного слоя металлизации и толстого несущего медного покрытия, стравливание подложки до вскрытия сетки из реперных канавок с ее обратной стороны, удаление толстого несущего слоя меди и разделение полученной структуры на отдельные элементы. Перед формированием сетки из реперных канавок создают в эпитаксиальном слое локальные области с типом проводимости, противоположным типу проводимости эпитаксиального слоя, а перед удалением толстого несущего слоя меди наносят слои металлизации на всю поверхность утоненной подложки и затем формируют интегральный медный теплоотвод заданной толщины. Разделение полученной полупроводниковой структуры выполняют по реперным канавкам с помощью алмазной дисковой резки. Техническим результатом является увеличение уровня допустимой рассеиваемой мощности, обеспечение малых потерь при прохождении сигнала низкого уровня мощности и др. 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента