RU 2052540 C1, 20.01.1996. RU 2061275 C1, 27.05.1996. WO 03/005396 A2, 16.01.2003. WO 01/27968 A1, 19.04.2001. EP 1879011 A2, 16.01.2008. US 2008/0245957 A1, 09.10.2008. US 4442361 A, 10.04.1984.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU)
Изобретатели:
Пустовалов Евгений Владиславович (RU) Плотников Владимир Сергеевич (RU) Грудин Борис Николаевич (RU) Глухов Алексей Петрович (RU) Кириллов Алексей Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиационно-пучковых технологий создания на поверхности материалов объектов с заданными геометрическими параметрами и может применяться для изменения свойств и геометрических характеристик поверхности объектов наноэлектроники. Сущность изобретения: на поверхности материалов фокусированным ионным пучком формируют объект с заданными геометрическими параметрами. Предварительно на поверхности объекта фокусированным ионным пучком по квадратной или прямоугольной сетке проставляют (n×n) маркеров и определяют смещения от заданных координат маркеров, после чего создают математическую модель поверхности на основании полученных данных и аппроксимации степени (n-1). В простейшем случае математическую модель поверхности формируют на основании данных четырех маркеров и линейной аппроксимации; модель корректируют с учетом известных данных о геометрии поверхности. В соответствии с математической моделью поверхности производят механическое и электронное совмещение ионной и электронной оптики и фокусированным ионным пучком на поверхности материала формируют объект с заданными геометрическими параметрами. Изобретение обеспечивает увеличение точности создания объекта нанометрового размера на поверхности материала в 7-18 раз и повышение технологичности способа создания таких объектов. 2 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента