US 6132568 А, 17.10.2000. RU 93583 U1, 27.04.2010. RU 2365672 C1, 27.08.2009. US 2010047502 A1, 25.02.2010.
Имя заявителя:
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Изобретатели:
Зенкевич Андрей Владимирович (RU) Лебединский Юрий Юрьевич (RU) Парфенов Олег Евгеньевич (RU) Сторчак Вячеслав Григорьевич (RU) Тетерин Петр Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Реферат
Изобретение относятся к получению тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств. Способ изготовления тонких пленок стехиометрического моносульфида самария импульсным лазерным осаждением включает осаждение на подложке тонких пленок моносульфида самария в вакууме при комнатной температуре с использованием мишени из стехиометрического SmS. После осаждения тонких пленок моносульфида самария проводят отжиг полученных пленок в вакууме в диапазоне температур 700-900 K. Пленки наносят на подложку, выполненную из монокристаллического кремния с химически удаленным естественным окислом или выполненную из аморфного материала, или из оптического стекла, или из металла, или из органического материала, или из ацетилцеллюлозы. Используют мишень, полученную в виде таблетки прессованием порошка из стехиометрического SmS, или выполненную из монокристалла SmS, или из поликристалла SmS. Получаются сформированные стехиометрические пленки моносульфида самария, обладающие улучшенными оптическими, электрическими и механическими свойствами, например тензочувствительностью. 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 5 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента