Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2460168

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009149796/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/52    
Аналоги изобретения: Грехов И.В. и др. Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным р-n переходом, изготовленным имплантацией бора. Физика и техника полупроводников, 2008, т.42, вып.2, с.211, 212. Маслова К.В. и др. Монтаж кристаллов БИС с использованием припоя на основе цинка. Электронная промышленность, 1989, 6, с.24-26. RU 2313156 C1, 20.12.2007. RU2375786 C1, 10.12.2009. US 2008205013 A1, 28.08.2008. JP 2009099655 A, 07.05.2009. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU),
ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) 
Изобретатели: Зенин Виктор Васильевич (RU)
Бойко Владимир Иванович (RU)
Кочергин Александр Валерьевич (RU)
Спиридонов Борис Анатольевич (RU)
Строгонов Андрей Владимирович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ пайки кристаллов на основе карбида кремния, включающий формирование на паяемой стороне кристалла двухслойного покрытия никель/серебро и пайку к основанию корпуса из металлизированного нитрида алюминия. На паяемые поверхности кристалла и корпуса наносят адгезионный слой, а затем металлическую связку из сплава Ni-B толщиной 3-5 мкм для формирования алмазоносного слоя из порошка алмаза с размером зерен 25-30 мкм, которые выступают над металлической связкой на 20-25 мкм, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя, содержащего адгезионно-активные металлы по отношению к алмазу, толщина фольги припоя выбирается из условия полного заполнения зазоров между алмазными зернами, при этом алмазные зерна на кристалле и корпусе не должны соприкасаться друг с другом в расплаве припоя, а при пайке кристалл подвергают воздействию ультразвуковых колебаний. Техническим результатом изобретения является повышение теплоотвода от кристалла к корпусу. 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"