Ерофеев Е.В. и др. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT транзистора с субмикронным Т-образным затвором. Доклады ТУСУРа, 2 (22), часть 1, декабрь 2010, с.183-186. RU 2009130823 А, 20.02.2011. RU 2358355 С2, 10.06.2009. US 7884428 В2, 08.02.2011. US 7902582 В2, 08.03.2011. US 7420227 В2, 02.09.2008. WO 2009/093625 A1, 30.07.2009. WO 2006/025473 A1, 09.03.2006. JP 2009200162 A, 03.09.2009.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Изобретатели:
Анищенко Екатерина Валентиновна (RU) Арыков Вадим Станиславович (RU) Ерофеев Евгений Викторович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Реферат
Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV , в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока. Сущность изобретения: транзистор на основе полупроводникового соединения содержит полупроводниковую пластину, канальный и контактный слои, омические контакты истока и стока, выполненные на основе тонкопленочного соединения Ge и Cu, и затвор, в котором послойно на полупроводниковой пластине расположены тонкие пленки барьерообразующего металла, диффузионного барьера и проводника. В качестве материала проводника затвора используют тонкопленочное соединение Ge и Cu толщиной 10-1000 нм, с массовым содержанием Ge в диапазоне 20-45%. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента