US 4492852 A, 08.01.1985. RU 2020654 C1, 30.09.1994. SU 1768675 A1, 15.10.1992. SU 1321136 A1, 28.02.1994. RU 2394117 C2, 10.07.2010. RU 2021556 C1, 15.10.1994.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Шенгуров Владимир Геннадьевич (RU) Светлов Сергей Петрович (RU) Чалков Вадим Юрьевич (RU) Денисов Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в вакуумной установке для изготовления полупроводниковой структуры установлены средства образования молекулярного потока исходного полупроводникового материала и устройство для нагрева подложки, содержащее подложкодержатель, нагреватель, подключенный к источнику питания токовводами, и перегородку со свойствами теплоотражения. Устройство для нагрева подложки размещено в установленной внутри рабочей вакуумной камеры дополнительной камере, корпус которой снабжен съемной крышкой, смонтированной с возможностью образования при ее открывании рабочего окна для формирования полупроводниковой структуры, при этом подложкодержатель установлен между съемной крышкой и нагревателем. Технический результат изобретения заключается в повышении качества изготовляемых полупроводниковых структур на подложках больших размеров за счет обеспечения однородного нагрева подложки и равномерного снижения температуры подложки от температуры отжига до температуры наращивания полупроводниковой структуры, а также в снижении энергозатрат на нагрев и отжиг подложек. 11 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента