US 3705419 A, 05.12.1972. US 7812404 B2, 12.10.2010. US 7824956 B2, 02.11.2010. US 2009/0032795 A1, 05.02.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Путролайнен Вадим Вячеславович (RU) Параничев Даниил Константинович (RU) Болдин Павел Анатольевич (RU) Величко Андрей Александрович (RU) Стефанович Генрих Болеславович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ получения диода на основе оксида ниобия включает создание нижнего проводящего электрода, выпрямляющего электрического перехода и верхнего проводящего электрода. В качестве выпрямляющего электрического перехода используют слой оксида ниобия толщиной от 40 нм до 100 нм с верхним электродом, обеспечивающим образование барьера Шоттки. Слой оксида ниобия получают путем окисления нижнего электрода, состоящего из металлического ниобия. В качестве верхнего проводящего электрода используют металлы с работой выхода более 5.i эВ: Ni, Au, Pt, Pd. Изобретение обеспечивает уменьшение плотности обратного тока и увеличение отношения прямого и обратного тока до 7 порядков, а также позволяет использовать более простую и дешевую низкотемпературную технологию получения оксидных слоев, что позволяет удешевить изготовление оксидных диодов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента