|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ К КРЕМНИЕВОМУ СОЛНЕЧНОМУ ЭЛЕМЕНТУ |  |
Номер публикации патента: 94020464 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94020464 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Александров Б.А. | | Изобретатели: | Александров Б.А.
Васильев В.В.
Зиновьев К.В.
Рубчиц В |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах при преобразовании излучения высокой плотности. Целью изобретения является повышение эффективности работы солнечного элемента при преобразовании излучения высокой плотности. Омический контакт состоит из переходного слоя силицида никеля толщиной 0,02 - 0,08 мкм, слоя никеля толщиной 0,2-1,0 мкм, слоя меди толщиной 3-8 мкм и слоя оловосодержащего припоя толщиной 3-10 мкм. Силицид никеля обеспечивает низкое переходное сопротивление контакта, слой никеля служит экраном от диффузии меди в кремний, слой меди обеспечивает низкое электрическое сопротивление контакта. 1 ил.
|
Поиск патентов