|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 94020883 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94020883 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Принц В.Я. |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля полупроводниковых структур. Способ включает освещение структуры импульсом света с энергией кванта большей, чем ширина запрещенной зоны полупроводника и измерении СВЧ методом релаксации неравновесной проводимости структуры. С целью расширения функциональных возможностей и информативности способа за счет определения концентрации дырок в буферном слое типичных многослойных структур, предназначенных для изготовления интегральных схем и полевых транзисторов, формируют неразрушающие контакты к структуре, прикладывают к структуре смещение и освещают ее светом со стороны подложки, выключают свет и регистрируют постоянную времени релаксации проводимости, по которой определяют концентрацию дырок.
|
Поиск патентов