|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР В ФОТОЛИТОГРАФИИ |  |
Номер публикации патента: 94021400 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94021400 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | | Изобретатели: | Кудряшов В.А. |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании структур методом обратной литографии. Задача изобретения - снижение дефектности получаемого методом обратной литографии изображения за счет формированиия нерастворимого в проявителе слоя фоторезиста толщиной 0,3-1 мкм в верхней части рельефных структур и растворимого - в нижней их части. Для этого в способе формирования структур в фотолитографии, включающем нанесение на подложку позитивного фоторезиста, облучение его пучком электронов, экспонирование рисунка ультрафиолетовым излучением, проявление, напыление дополнительного слоя материала и удаление резиста, согласно изобретению облучение пучком проводят после экспонирования рисунка ультрафиолетовым излучением, причем энергия электронов в пучке составляет 3-6 Кэв, а доза облучения достаточна для полной потери чувствительности фоторезиста к ультрафиолетовому излучению на необлученных при экспонировании рисунка участках, после проявления проводят дополнительное экспонирование фоторезиста ультрафиолетовым излучением и удаление резиста проводят в проявителе. С целью формирования нависающего профиля края, облегчающего проведение обратной литографии методом взрыва, рельефные структуры в резисте могут быть подвергнуты дополнительному проявлению перед нанесением дополнительного слоя материала.
|
Поиск патентов