На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Номер публикации патента: 94041069

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94041069

Реферат

Использование: в технологии микроэлектроники, в частности, при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Технический эффект: повышение выхода годных полупроводниковых структур за счет снижения дисперсии их параметров, зависящих от степени дефектности материалов-компонентов структуры. Сущность изобретения: производят периодическое облучение структур с нерабочей стороны потоком альфа-частиц от радиоизотопного источника излучения с частотой из миллигерцевого диапазона с равными полупериодами облучение-необлучение и производят регистрацию с рабочей стороны до и после облучения одного из физических параметров, чувствительного к наличию в структуре кристаллографических дефектов, при этом циклы облучение-необлучение повторяют до стабилизации фиксируемого параметра, а после облучения структуры выдерживают в нормальных условиях до полного прекращения релаксационных процессов.

Вернуться к списку