На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ СОЗДАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 95111284

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95111284

Реферат

Областью применения изобретения является технология ИС на биполярных транзисторах, а более конкретно - способ изготовления биполярного транзистора с "пристеночными " к диэлектрику областями базы и эмиттера. Исполнение транзисторов с "пристеночным" эмиттером, формируемым диффузией из поликремниевого электрода, позволяет существенно уменьшить размеры (ширину) эмиттера вплоть до размеров, определяемых методом переноса изображения, составляющих сегодня 5-0,2 мкм. Способ включает формирование локального скрытого слоя в подложке кремния, осаждение эпитаксиального сдоя, перед формированием изолированного диэлектрика легирование (в местах будующего расположения "пристеночных" областей эмиттера и базы транзистора) примесью базы, формирование изолирующего диэлектрика, создание базы, ограниченной областью диэлектрика, осаждение слоя поликристаллическoго кремния, легированного примесью эмиттера, формирование поликристаллического электрода, создание эмиттера, получаемого диффузией из поликристаллического электрода, и ограниченного областью диэлектрика по крайней мере с одной стороны. Способ позволяет исключить электрический прокол базы в области "пристенки" к диэлектрику под эмиттером в связи с сужением ширины базы. Указанный эффект достигается в результате того, что в области "пристенки" эмиттера база предварительно расширяется, исключая возможность электрического прокола.

Вернуться к списку