|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОРГАНИЧЕСКИЙ КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ПРОВОЛОЧНЫМИ СОЕДИНЕНИЯМИ |  |
Номер публикации патента: 2146067 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L023/498 | | Аналоги изобретения: | IBM Т.Д.В.28(7), р.2918 - 2919. EP 0427265 A2, 15.05.91. US 5355283 A2, 11.10.94. EP 623956 A2, 09.11.94. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1983, с.84 - 86. |
| Имя заявителя: | Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн (US) | | Изобретатели: | Ашвинкумар Чинупрасад Бхатт (CH)
Субаху Дхирубхай Десай (US)
Томас Патрик Даффи (US)
Джеффри Алан Найт (US) | | Патентообладатели: | Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн (US) | | Номер конвенционной заявки: | 08/390,344 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, производство интегральных микросхем. Сущность изобретения: в кристаллодержателе для интегральных схем с проволочными соединениями использованы органические диэлектрические материалы вместо, как принято, керамических материалов. В этом кристаллодержателе также применяется по меньшей мере один органический диэлектрический слой, на котором может быть сформировано изображение фотолитографическим методом. Этот слой имеет металлизированные отверстия для электрического соединения между собой двух или более слоев схем разветвления по выходу. Кроме того, в этом кристаллодержателе применяется одноярусная полость для размещения кристалла. Кристаллодержатель включает тепловые отверстия и/или металлический слой, выполненные непосредственно под кристаллом, для увеличения рассеяния тепла. Техническим результатом изобретения является разработка кристаллодержателя, который характеризуется высокой скоростью распространения электрического сигнала, коротким "временем пролета", высокой скоростью рассеяния тепла, в котором исключается выполнение механически просверленных отверстий для соединения различных слоев схем. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента