|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2165115 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L023/28 | | Аналоги изобретения: | JP 08125071 A, 17.03.1996. JP 62219641 A, 26.09.1987. JP 62042439 A, 24.02.1987. US 5107325 A, 21.04.1992. RU 2089013 A, 27.08.1997. |
| Имя заявителя: | ХИТАЧИ, ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | Тадао КУШИМА (JP)
Акира ТАНАКА (JP)
Рюичи САИТО (JP)
Казухиро СУЗУКИ (JP)
Ешихико КОИКЕ (JP)
Хидео ШИМИЗУ (JP) | | Патентообладатели: | ХИТАЧИ
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит несущую плату, по крайней мере одну установленную на этой несущей плате изоляционную подложку по крайней мере с одним расположенным на ее верхней поверхности проводящим элементом, обратная сторона которой обращена к несущей плате, корпус, внутри которого расположена изоляционная подложка, полупроводниковые элементы и/или приборы, расположенные внутри корпуса.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента