Prikhodko A.I. and Surma A.M. Proton irradiated 6kV GTO with full pressure contacts, Conf.Proc. on EPE - 97, Trondheim, 1997, pp.1.507-1.512. SU 277111 A, 29.10.1970. SU 682971 A, 30.08.1979. RU 2201016 C2, 20.03.2003. EP 254910 A1, 03.02.1988. US 4402004 A, 30.08.1983.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Изобретатели:
Сурма Алексей Маратович (RU) Приходько Анна Ивановна (RU) Локтаев Юрий Михайлович (RU) Губарев Виталий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (Rth). Техническим результатом изобретения является уменьшение и стабильность значений падения напряжения во включенном состоянии Von и теплового сопротивления прибора Rth путем обеспечения фиксированного положения полупроводниковой пластины относительно верхнего и нижнего термокомпенсаторов. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе с полностью прижимными контактами, содержащем полупроводниковую пластину со слоями n- и р-типа проводимости, расположенную между катодным и анодным термокомпенсаторами с фланцами с диаметром большим, чем диаметр полупроводниковой пластины, размещенными внутри изолирующего кольца, края изолирующего кольца охватывают фланцы термокомпенсаторов, заходя на наружные поверхности катодного и анодного термокомпенсаторов не менее чем на 1 мм, при этом изолирующее кольцо выполнено из упругого материала. 1 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента