SU 1614148 A1, 15.12.1990. JP 2004101160 A, 02.04.2004. JP 2000228754 A, 15.08.2000. JP 2001018257 A, 23.01.2001. JP 10071091 A, 17.03.1998. SU 503563 A3, 15.04.1976.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора. Решение поставленной задачи заключается в том, что используются биметаллические электроды, место спая которых находится в непосредственном контакте с тепловыделяющим кристаллом, причем при пропускании тока через этот спай от первого биметаллического электрода ко второму биметаллическому электроду можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла. Конструкция термоэлектрических электродов представляет собой биметаллические проводники и разделенные диэлектриком и спаянные непосредственно над участком кристалла, предназначенным для охлаждения. Технический результат - повышение эффективности процесса охлаждения тепловыделяющих компонентов радиоэлектронной аппаратуры. 1 ил.