|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2148874 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | SU 1700788 A, 23.12.1991. SU 1679664 A, 23.09.1991. SU 1598238 A1, 07.10.1990. US 5373189 A, 13.12.1994. SU 1753961 A3, 07.08.1992. EP 0476136 A1, 25.03.1992. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU)
Буданов В.Н.(RU)
Яшин А.А.(RU)
Кандлин В.В.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов содержит пакет скрепленных между собой твердых диэлектрических плат с топологическим рисунком металлизации по меньшей мере на одной стороне плат и навесными кристаллами бескорпусных полупроводниковых приборов, расположенными в углублениях плат и закрепленными в них связующим веществом. Контактные площадки кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации. Углубления для кристаллов выполнены в тех платах, на которых устанавливаются кристаллы по меньшей мере на одной из сторон платы. Глубина углублений обеспечивает размещение лицевых поверхностей кристаллов в одной плоскости с поверхностью платы, на которой выполнено углубление, а расстояние между боковыми стенками углубления и кристаллами составляет 1 - 180 мкм. Расстояние между лицевой поверхностью приборов и прилегающей в пакете платы по отношению к плате, на которой установлены кристаллы, составляет 1 - 100 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик и улучшение условий теплоотвода от кристаллов. 2 з. п.ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента