Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ИНТЕГРАЦИЕЙ ПО ВЕРТИКАЛИ

Номер публикации патента: 2213391

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2001121149/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L025/065    
Аналоги изобретения: EP 0238089 A2, 23.09.1987. US 5825080 A, 20.10.1998. US 4807021 A, 21.02.1989. US 5099309 A, 24.03.1992. RU 2052 U1, 16.04.1996. RU 2119276 C1, 20.09.1998. 

Имя заявителя: ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) 
Изобретатели: СМОЛА Михель (DE)
КУКС Андреас (DE) 
Патентообладатели: ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) 

Реферат


Использование: при производстве полупроводниковых устройств с микрошлифованными полупроводниковыми кристаллами. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство по меньшей мере с одним полупроводниковым кристаллом и с первой и второй основной стороной на первой и на второй основной стороне имеет активные структуры, которые соединены между собой посредством проходящих через полупроводниковый кристалл соединений, причем по меньшей мере один полупроводниковый кристалл размещен одной из своих основ


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"