ОКСНЕР Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь, 1985. с.114-120. БАЧУРИН В.В. и др. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. Ч.П. - М.: ЦНИИ «Электроника», Обзоры по электронной технике, серия 2, выпуск 1, 1984 г., с.44. SU 1734205 А1, 15.05.1992. SU 1633486 А1, 07.03.1991. US 6130563 А, 10.10.1000. CN 101834588 А, 15.09.2010.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" (RU)
Изобретатели:
Крутских Евгений Ильич (RU) Стрижков Анатолий Михайлович (RU) Базилевский Александр Борисович (RU) Горяшин Николай Николаевич (RU) Лукьяненко Михаил Васильевич (RU) Ткачёв Степан Борисович (RU) Хорошко Александр Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области преобразовательной техники, а более конкретно к полевым транзисторным ключам на базе силовых МДП-транзисторов, и может найти применение в импульсных высокочастотных преобразователях напряжения. Изобретение обеспечивает повышение КПД за счет одновременного снижения статических и динамических потерь в ключевом элементе. Сущность изобретения: полевой транзисторный ключ содержит схему управления и ключевой элемент, состоящий из параллельно включенных МДП-транзисторов, истоки которых объединены и соединены с выводом схемы управления, один из МДП-транзисторов - быстродействующий средней мощности, а другой - низкочастотный мощный, затворы их соответственно присоединены к первому и второму выводам схемы управления, которая содержит логическое устройство, обеспечивающее необходимые задержки между управляющими импульсами. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента