Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ - ДИАПАЗОНА

Номер публикации патента: 2458432

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011115334/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L025/16    
Аналоги изобретения: RU 2390071 C1, 20.05.2010. RU 2298255 C1, 27.04.2007. RU 2402836 C1, 27.10.2010. DE 3903346 A, 27.07.1989. EP 0117434 A1, 05.09.1984. US 4291278 A, 22.09.1981. CN 101740556 A, 16.06.2010. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 
Изобретатели: Иовдальский Виктор Анатольевич (RU)
Ганюшкина Нина Валентиновна (RU)
Пчелин Виктор Андреевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности конструкции схемы, улучшение электрических характеристик и теплоотвода от кристаллов транзисторов. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, расположенную обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании, в диэлектрической подложке выполнено отверстие, а на металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристаллов транзисторов, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания с двух сторон кристалла одного из транзисторов выполнены монтажные площадки, снабженные хорошо теплопроводящей пластиной, в хорошо теплопроводящей пластине выполнена канавка, в которой расположен и закреплен один кристалл другого транзистора. Хорошо теплопроводящая пластина выполнена единой для кристаллов транзисторов каждой пары, при этом расстояние между парами транзисторов S и теплопроводность материала пластины определены согласно заявленному условию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"