Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОСТИКОВОЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЕ ПОСРЕДСТВОМ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ ЧЕРЕЗ КРЕМНИЙ

Номер публикации патента: 2461092

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011103138/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L025/065    
Аналоги изобретения: WO 01/80317 А1, 25.10.2001. US 2006/095639 A1, 04.05.2006. US 2007/0216036 A1, 20.09.2007. US 2007/0194425 A1, 23.08.2007. RU 2312425 C1, 10.12.2007. 

Имя заявителя: КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) 
Изобретатели: ЧАНДРАСЕКАРАН Арвинд (US) 
Патентообладатели: КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) 
Приоритетные данные: 30.06.2008 US 12/164,331 

Реферат


Изобретение относится к сборке интегральных схем, а более конкретно к мостиковым межсоединениям между прилегающими интергальными схемами в корпусе с подложкой. Сущность изобретения: система мостиковых межсоединений интегральных схем включает в себя первый кристалл и второй кристалл, предоставленные в прилегающей конфигурации и электрически соединенные друг с другом с помощью мостикового кристалла. Мостиковый кристалл включает в себя сквозные отверстия через кремний для соединения проводящих линий межсоединений на мостиковом кристалле с первым кристаллом и вторым кристаллом. Активные схемы, иные чем линии межсоединений, могут быть предусмотрены на мостиковом кристалле. По меньшей мере, один или более дополнительных кристаллов могут быть уложены в стопку на мостиковом кристалле и соединяться с мостиковым кристаллом. Техническим результатом изобретения является упрощение процесса монтажа, снижение затрат на материалы межсоединений и обеспечение соединения между микросхемами с меньшим шагом, чем обычно допустимо при проволочном монтаже и эквивалентных межсоединениях с балочными выводами. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 6 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"