|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ |  |
Номер публикации патента: 1093184 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 824824, H 01H 21/82, 1980. T.Joichi, K Tokio et al U - groove isolation technology for high cleusity bipolar LST's proc of the 13th Conference on Solid State Devices Tokyo, 1981. Jap. J. Appl Phys. 1982. v.21 Suppl 21-1. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Манжа Н.М.
Шурчков И.О.
Патюков С.И.
Чистяков Ю.Д.
Щербинин А.А.
Мирошников |
Реферат | |
СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой - в виде p - n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента