Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ПОДАВЛЕНИЕМ ПОСТОЯННОЙ И НИЗКОЧАСТОТНОЙ КОМПОНЕНТ ФОТОСИГНАЛА

Номер публикации патента: 1739808

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4846310 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/148    
Аналоги изобретения: Longo I.T. et all. IEEE J.of Solidstate Circuits, VSS - 13, N 1, 1978, p.139. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО АН СССР 
Изобретатели: Крымский А.И.
Кляус Х.И.
Ли И.И.
Черепов Е 

Реферат


Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может использоваться в устройствах обработки сигнала с многоэлементных ФПУ. Цель изобретения - упрощение устройства и снижение рассеиваемой мощности в ФПУ. Устройство включает фотоприемник, первый, второй, третий МДП транзисторы, емкость накопления, причем исток первого МДП транзистора соединен с фотоприемником, а сток - с истоком второго МДП транзистора, одна обкладка емкости накопления соединена с шиной нулевого потенциала, другая - со стоком второго МДП транзистора и истоком третьего МДП транзистора, а со стока третьего МДП транзистора, а со стока третьего МДП транзистора снимается выходной сигнал. Кроме того, в устройство введены четвертый МДП - транзистор, дополнительная емкость, опорный источник тока, пятый МДП - транзистор, имеющий тип проводимости, противоположный типу проводимости остальных МДП транзисторов, причем четвертый и второй МДП транзисторы имеют общие истоки и располагаются на полупроводниковой подложке рядом, образуя согласованную по пороговым напряжениям пару транзисторов, сток четвертого МДП транзистора соединен с первой обкладкой дополнительной емкости, исток, затвор и сток комплементарного пятого МДП транзистора соединены соответственно с источником напряжения, стоком четвертого МДП транзистора и истоком второго МДП транзистора, вторая обкладка дополнительной емкости соединена с истоком пятого МДП транзистора, а опорный источник тока включен параллельно дополнительной емкости. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"