|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2030812 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 | | Аналоги изобретения: | Haegele R.W.Electronics, 22,80, October, 1949. |
| Имя заявителя: | Евсеев И.И. | | Изобретатели: | Евсеев И.И.
Замотайлов Ю.Г.
Ивакин А.Н.
Петров Б.К.
Суровцев И.С.
Корчагин Ю.А.
Дудкин В.П.
Бугров В.П. | | Патентообладатели: | Евсеев Игорь Иванович
Ивакин Анатолий Николаевич
Суровцев Игорь Степанович
Дудкин Валерий Петро |
Реферат | |
Использование: в радиоэлектронных устройствах. Сущность изобретения: прибор содержит два полупроводниковых слоя с различным типом проводимости, каждый из которых снабжен внешним омическим контактом. Слои выполнены различной толщины и в тонком слое сформированы две области противоположного типа проводимости с различающимися в них концентрациями носителей, которые снабжены омическими контактами, а в промежутке между этими областями образован слой диэлектрика, на который нанесен электрод. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента